0 0 0
  8. BSZ105N04NSGATMA1

Транзистори з каналом N SMD BSZ105N04NSGATMA1

 
BSZ105N04NSGATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1168994
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 29А; 35Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
55.50 грн
5+
23.31 грн
25+
20.93 грн
61+
16.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TSDSON-8(1596143)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
29А(1479295)
Опір в стані провідності
10,5мОм(1441291)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
35Вт(1707246)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
13нКл(1479038)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSZ105N04NSGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1168994
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 29А; 35Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
55.50 грн
5+
23.31 грн
25+
20.93 грн
61+
16.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TSDSON-8
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
29А
Опір в стані провідності
10,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
35Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
13нКл
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g