0 0 0
  8. BSZ12DN20NS3GATMA1

Транзистори з каналом N SMD BSZ12DN20NS3GATMA1

 
BSZ12DN20NS3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075830
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11,3А; 50Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
76.50 грн
3+
65.58 грн
10+
52.67 грн
22+
45.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TSDSON-8(1596143)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
11,3А(1599918)
Опір в стані провідності
0,125Ом(1737453)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
50Вт(1520816)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSZ12DN20NS3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075830
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11,3А; 50Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
76.50 грн
3+
65.58 грн
10+
52.67 грн
22+
45.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TSDSON-8
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
11,3А
Опір в стані провідності
0,125Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
50Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g