Транзистори з каналом N SMD BSZ130N03LSGATMA1

 
BSZ130N03LSGATMA1
 
Артикул: 075831
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 28А; 25Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
29.48 грн
25+
25.26 грн
56+
17.61 грн
154+
16.65 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TSDSON-8(1596143)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
28А(1441500)
Опір в стані провідності
13мОм(1479176)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
25Вт(1507409)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSZ130N03LSGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075831
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 28А; 25Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
29.48 грн
25+
25.26 грн
56+
17.61 грн
154+
16.65 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TSDSON-8
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
28А
Опір в стані провідності
13мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
25Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g