0 0 0
  8. BSZ160N10NS3GATMA1

Транзистори з каналом N SMD BSZ160N10NS3GATMA1

 
BSZ160N10NS3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169072
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
92.77 грн
5+
82.46 грн
14+
71.36 грн
39+
67.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TSDSON-8(1596143)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
40А(1441305)
Опір в стані провідності
16мОм(1479178)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
63Вт(1520822)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,07 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSZ160N10NS3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169072
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 40А; 63Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
92.77 грн
5+
82.46 грн
14+
71.36 грн
39+
67.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TSDSON-8
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
40А
Опір в стані провідності
16мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
63Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,07 g