0 0 0
  8. BSZ42DN25NS3GATMA1

Транзистори з каналом N SMD BSZ42DN25NS3GATMA1

 
BSZ42DN25NS3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169002
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 5А; 33,8Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
83.25 грн
5+
71.36 грн
20+
49.95 грн
54+
47.57 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TSDSON-8(1596143)
Напруга сток-джерело
250В(1441306)
Струм стока
5А(1441380)
Опір в стані провідності
0,425Ом(1790178)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
33,8Вт(1741927)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD BSZ42DN25NS3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169002
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 5А; 33,8Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
83.25 грн
5+
71.36 грн
20+
49.95 грн
54+
47.57 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TSDSON-8
Напруга сток-джерело
250В
Струм стока
5А
Опір в стані провідності
0,425Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
33,8Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g