0 0 0
  8. BSZ900N20NS3GATMA1

Транзисторы с каналом N SMD BSZ900N20NS3GATMA1

 
BSZ900N20NS3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075844
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 15,2А; 62,5Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
115.21 грн
5+
104.08 грн
13+
79.45 грн
35+
75.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TSDSON-8(1596143)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
15,2А(1599921)
Опір в стані провідності
90мОм(1479066)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
62,5Вт(1702079)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD BSZ900N20NS3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075844
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 15,2А; 62,5Вт; PG-TSDSON-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
115.21 грн
5+
104.08 грн
13+
79.45 грн
35+
75.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TSDSON-8
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
15,2А
Опір в стані провідності
90мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
62,5Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g