Модулі IGBT FF100R12RT4HOSA1

 
FF100R12RT4HOSA1
 
Артикул: 817219
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
5 510.56 грн
10+
5 298.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Корпус
AG-34MM(1935734)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор(1612519)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
100А(1441720)
Струм колектора в імпульсі
200А(1441618)
Потужність розсіювання
555Вт(1789840)
Електричний монтаж
конектори FASTON(1612508) пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Топологія
півмісток IGBT(1612529)
Додаткова інформація: Маса брутто: 160 g
 
Модулі IGBT FF100R12RT4HOSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 817219
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,2кВ
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
5 510.56 грн
10+
5 298.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Корпус
AG-34MM
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
100А
Струм колектора в імпульсі
200А
Потужність розсіювання
555Вт
Електричний монтаж
конектори FASTON
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Топологія
півмісток IGBT
Додаткова інформація: Маса брутто: 160 g