Модулі IGBT FF200R12KT3EHOSA1

 
FF200R12KT3EHOSA1
 
Артикул: 268776
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,загальний емітер; IGBT x2
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
7 651.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Корпус
AG-62MM-1(1585660)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
загальний емітер(1714007) транзистор/транзистор(1612519)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
200А(1441734)
Струм колектора в імпульсі
400А(1441739)
Потужність розсіювання
1,05кВт(1741895)
Електричний монтаж
конектори FASTON(1612508) пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Топологія
IGBT x2(1810327)
Додаткова інформація: Маса брутто: 340 g
 
Модулі IGBT FF200R12KT3EHOSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 268776
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,загальний емітер; IGBT x2
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
7 651.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Корпус
AG-62MM-1
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
загальний емітер
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
200А
Струм колектора в імпульсі
400А
Потужність розсіювання
1,05кВт
Електричний монтаж
конектори FASTON
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Топологія
IGBT x2
Додаткова інформація: Маса брутто: 340 g