0 0 0
  7. FF200R17KE4HOSA1

Модулі IGBT FF200R17KE4HOSA1

 
FF200R17KE4HOSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 268778
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
14 115.09 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 4 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Корпус
AG-62MM-1(1585660)
Зворотна напруга макс.
1,7кВ(1441074)
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор(1612519)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
200А(1441734)
Струм колектора в імпульсі
400А(1441739)
Потужність розсіювання
1,25кВт(1702376)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Топологія
півмісток IGBT(1612529)
Додаткова інформація: Маса брутто: 335,99 g
 
Модулі IGBT FF200R17KE4HOSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 268778
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; півмісток IGBT; Urmax: 1,7кВ
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
14 115.09 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 4 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Корпус
AG-62MM-1
Зворотна напруга макс.
1,7кВ
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
200А
Струм колектора в імпульсі
400А
Потужність розсіювання
1,25кВт
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Топологія
півмісток IGBT
Додаткова інформація: Маса брутто: 335,99 g