0 0 0
  7. FZ900R12KE4HOSA1

Модулі IGBT FZ900R12KE4HOSA1

 
FZ900R12KE4HOSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 817218
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 900А; 4,3кВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
17 911.30 грн
10+
17 652.52 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Корпус
AG-62MMES(1962403)
Зворотна напруга макс.
1,2кВ(1440237)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
900А(1605424)
Струм колектора в імпульсі
1,8кА(1758523)
Потужність розсіювання
4,3кВт(1962401)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Додаткова інформація: Маса брутто: 340 g
 
Модулі IGBT FZ900R12KE4HOSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 817218
Модуль: IGBT; одиночний транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 900А; 4,3кВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
17 911.30 грн
10+
17 652.52 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Корпус
AG-62MMES
Зворотна напруга макс.
1,2кВ
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
900А
Струм колектора в імпульсі
1,8кА
Потужність розсіювання
4,3кВт
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
IGBT
Додаткова інформація: Маса брутто: 340 g