Транзистори IGBT SMD IKB15N65EH5ATMA1

 
IKB15N65EH5ATMA1
 
Артикул: 291339
Транзистор: IGBT; 650В; 18А; 52,5Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
171.47 грн
5+
153.93 грн
9+
116.44 грн
24+
110.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруги колектор-емітер
650В(1478928)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
18А(1500559)
Струм колектора в імпульсі
45А(1645254)
Час ввімкнення
33нс(1587343)
Час вимкнення
172нс(1757692)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
52,5Вт(1741838)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
38нКл(1479182)
Технологія
TRENCHSTOP™ 5(1601687)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори IGBT SMD IKB15N65EH5ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 291339
Транзистор: IGBT; 650В; 18А; 52,5Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
171.47 грн
5+
153.93 грн
9+
116.44 грн
24+
110.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруги колектор-емітер
650В
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
18А
Струм колектора в імпульсі
45А
Час ввімкнення
33нс
Час вимкнення
172нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
52,5Вт
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
38нКл
Технологія
TRENCHSTOP™ 5
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g