0 0 0
  8. IKB30N65ES5ATMA1

Транзистори IGBT SMD IKB30N65ES5ATMA1

 
IKB30N65ES5ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1174666
Транзистор: IGBT; 650В; 39,5А; 94Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
242.38 грн
5+
217.75 грн
6+
167.68 грн
17+
158.94 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруги колектор-емітер
650В(1478928)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
39,5А(1757695)
Струм колектора в імпульсі
120А(1441628)
Час ввімкнення
29нс(1757696)
Час вимкнення
154нс(1757697)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
94Вт(1740794)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
70нКл(1479303)
Технологія
TRENCHSTOP™ 5(1601687)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори IGBT SMD IKB30N65ES5ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1174666
Транзистор: IGBT; 650В; 39,5А; 94Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
242.38 грн
5+
217.75 грн
6+
167.68 грн
17+
158.94 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруги колектор-емітер
650В
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
39,5А
Струм колектора в імпульсі
120А
Час ввімкнення
29нс
Час вимкнення
154нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
94Вт
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
70нКл
Технологія
TRENCHSTOP™ 5
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g