0 0 0
  8. IKB40N65ES5ATMA1

Транзистори IGBT SMD IKB40N65ES5ATMA1

 
IKB40N65ES5ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 291347
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 115Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
308.79 грн
5+
214.33 грн
13+
202.42 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруги колектор-емітер
650В(1478928)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
50А(1440988)
Струм колектора в імпульсі
160А(1694411)
Час ввімкнення
37нс(1607623)
Час вимкнення
153нс(1757660)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
115Вт(1702082)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
95нКл(1609950)
Технологія
TRENCHSTOP™ 5(1601687)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори IGBT SMD IKB40N65ES5ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 291347
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 115Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
308.79 грн
5+
214.33 грн
13+
202.42 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруги колектор-емітер
650В
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
50А
Струм колектора в імпульсі
160А
Час ввімкнення
37нс
Час вимкнення
153нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
115Вт
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
95нКл
Технологія
TRENCHSTOP™ 5
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g