0 0 0
  8. IMW120R220M1HXKSA1

Транзисторы с каналом N THT IMW120R220M1HXKSA1

 
IMW120R220M1HXKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410662
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 9,5А; Idm: 21А; 37,5Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
691.24 грн
2+
524.39 грн
6+
495.78 грн
30+
493.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
9,5А(1479197)
Опір в стані провідності
416мОм(1801420)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
37,5Вт(1741926)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Технологія
SiC(1591568) CoolSiC™(1810683)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-7...23В(1981519)
Струм стоку в імпульсі
21А(1789230)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,11 g
 
Транзисторы с каналом N THT IMW120R220M1HXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410662
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 9,5А; Idm: 21А; 37,5Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
691.24 грн
2+
524.39 грн
6+
495.78 грн
30+
493.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
9,5А
Опір в стані провідності
416мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
37,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Технологія
SiC
Технологія
CoolSiC™
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-7...23В
Струм стоку в імпульсі
21А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,11 g