0 0 0
  8. IMW65R048M1HXKSA1

Транзистори з каналом N THT IMW65R048M1HXKSA1

 
IMW65R048M1HXKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410665
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 24А; Idm: 100А; 125Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 177.49 грн
3+
1 113.13 грн
100+
1 095.65 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
24А(1441564)
Опір в стані провідності
63мОм(1479118)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Технологія
SiC(1591568) CoolSiC™(1810683)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...23В(1981520)
Струм стоку в імпульсі
100А(1758515)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,5 g
 
Транзистори з каналом N THT IMW65R048M1HXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410665
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 24А; Idm: 100А; 125Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 177.49 грн
3+
1 113.13 грн
100+
1 095.65 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
24А
Опір в стані провідності
63мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Технологія
SiC
Технологія
CoolSiC™
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...23В
Струм стоку в імпульсі
100А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,5 g