0 0 0
  8. IMW65R072M1HXKSA1

Транзистори з каналом N THT IMW65R072M1HXKSA1

 
IMW65R072M1HXKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410666
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 18А; Idm: 69А; 96Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 230.69 грн
2+
853.92 грн
3+
853.12 грн
4+
806.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 25 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
18А(1479247)
Опір в стані провідності
94мОм(1609998)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
96Вт(1740786)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Технологія
SiC(1591568) CoolSiC™(1810683)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...23В(1981520)
Струм стоку в імпульсі
69А(1790437)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,12 g
 
Транзистори з каналом N THT IMW65R072M1HXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410666
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 18А; Idm: 69А; 96Вт; TO247
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 230.69 грн
2+
853.92 грн
3+
853.12 грн
4+
806.92 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 25 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
18А
Опір в стані провідності
94мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
96Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Технологія
SiC
Технологія
CoolSiC™
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...23В
Струм стоку в імпульсі
69А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,12 g