0 0 0
  8. IMZ120R060M1HXKSA1

Транзистори з каналом N THT IMZ120R060M1HXKSA1

 
IMZ120R060M1HXKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410669
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 76А; 75Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 340.36 грн
2+
949.46 грн
3+
897.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
26А(1441513)
Опір в стані провідності
113мОм(1610033)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
75Вт(1701926)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Технологія
SiC(1591568) CoolSiC™(1810683)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-7...23В(1981519)
Струм стоку в імпульсі
76А(1801381)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,5 g
 
Транзистори з каналом N THT IMZ120R060M1HXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410669
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 76А; 75Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 340.36 грн
2+
949.46 грн
3+
897.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
26А
Опір в стані провідності
113мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
75Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Технологія
SiC
Технологія
CoolSiC™
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-7...23В
Струм стоку в імпульсі
76А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,5 g