0 0 0
  8. IMZA65R072M1HXKSA1

Транзистори з каналом N THT IMZA65R072M1HXKSA1

 
IMZA65R072M1HXKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410676
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 18А; Idm: 69А; 96Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 299.84 грн
2+
920.85 грн
3+
870.80 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
18А(1479247)
Опір в стані провідності
94мОм(1609998)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
96Вт(1740786)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Технологія
SiC(1591568) CoolSiC™(1810683)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...23В(1981520)
Струм стоку в імпульсі
69А(1790437)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,5 g
 
Транзистори з каналом N THT IMZA65R072M1HXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410676
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 18А; Idm: 69А; 96Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 299.84 грн
2+
920.85 грн
3+
870.80 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
18А
Опір в стані провідності
94мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
96Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Технологія
SiC
Технологія
CoolSiC™
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...23В
Струм стоку в імпульсі
69А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,5 g