0 0 0
  8. IPA80R750P7XKSA1

Транзистори з каналом N THT IPA80R750P7XKSA1

 
IPA80R750P7XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078278
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 26Вт; TO220FP
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
111.98 грн
10+
97.68 грн
15+
65.91 грн
42+
61.94 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
3,9А(1441264)
Опір в стані провідності
0,9Ом(1492457)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
26Вт(1741903)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
15нКл(1479067)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT IPA80R750P7XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078278
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 26Вт; TO220FP
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
111.98 грн
10+
97.68 грн
15+
65.91 грн
42+
61.94 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
3,9А
Опір в стані провідності
0,9Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
26Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
15нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g