0 0 0
  8. IPAN60R280PFD7SXKSA1

Транзистори з каналом N THT IPAN60R280PFD7SXKSA1

 
IPAN60R280PFD7SXKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410691
Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; польовий; 650В; 7А; Idm: 31А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
80.25 грн
3+
71.51 грн
10+
62.77 грн
18+
56.41 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напруга сток-джерело
650В(1492415)
Струм стока
7А(1441285)
Опір в стані провідності
549мОм(1812404)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
24Вт(1614699)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Технологія
CoolMOS™ PFD7(1812464)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
31А(1789235)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT IPAN60R280PFD7SXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410691
Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; польовий; 650В; 7А; Idm: 31А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
80.25 грн
3+
71.51 грн
10+
62.77 грн
18+
56.41 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напруга сток-джерело
650В
Струм стока
7А
Опір в стані провідності
549мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
24Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Технологія
CoolMOS™ PFD7
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
31А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g