0 0 0
  8. IPAN80R280P7XKSA1

Транзистори з каналом N THT IPAN80R280P7XKSA1

 
IPAN80R280P7XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078293
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10,6А; 30Вт; TO220FP
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
321.78 грн
3+
288.41 грн
5+
221.67 грн
13+
208.96 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 10 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
10,6А(1602401)
Опір в стані провідності
0,28Ом(1492340)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
30Вт(1507542)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
36нКл(1479151)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,113 g
 
Транзистори з каналом N THT IPAN80R280P7XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078293
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10,6А; 30Вт; TO220FP
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
321.78 грн
3+
288.41 грн
5+
221.67 грн
13+
208.96 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 10 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
10,6А
Опір в стані провідності
0,28Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
30Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
36нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2,113 g