0 0 0
  8. IPB017N06N3GATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPB017N06N3GATMA1

 
IPB017N06N3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076156
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
258.22 грн
5+
221.67 грн
7+
155.73 грн
18+
146.99 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-7(1599141)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
180А(1441541)
Опір в стані провідності
1,7мОм(1479605)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
250Вт(1701928)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPB017N06N3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076156
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 180А; 250Вт; PG-TO263-7
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
258.22 грн
5+
221.67 грн
7+
155.73 грн
18+
146.99 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-7
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
180А
Опір в стані провідності
1,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
250Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g