0 0 0
  8. IPB017N08N5ATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPB017N08N5ATMA1

 
IPB017N08N5ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076157
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
365.31 грн
5+
220.90 грн
13+
208.41 грн
1000+
205.29 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
120А(1441550)
Опір в стані провідності
1,7мОм(1479605)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
375Вт(1741741)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 5(1599490)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPB017N08N5ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076157
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
365.31 грн
5+
220.90 грн
13+
208.41 грн
1000+
205.29 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
120А
Опір в стані провідності
1,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
375Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 5
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g