0 0 0
  8. IPB017N10N5ATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPB017N10N5ATMA1

 
IPB017N10N5ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076158
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
680.91 грн
3+
470.36 грн
6+
444.93 грн
250+
437.78 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-7(1599141)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
180А(1441541)
Опір в стані провідності
1,7мОм(1479605)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
375Вт(1741741)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 5(1599490)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,638 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPB017N10N5ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076158
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; 375Вт; PG-TO263-7
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
680.91 грн
3+
470.36 грн
6+
444.93 грн
250+
437.78 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-7
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
180А
Опір в стані провідності
1,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
375Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 5
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,638 g