0 0 0
  8. IPB027N10N3GATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPB027N10N3GATMA1

 
IPB027N10N3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169043
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 120А; 300Вт; PG-TO263-7
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
336.95 грн
4+
327.39 грн
5+
314.64 грн
9+
309.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-7(1599141)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
120А(1441550)
Опір в стані провідності
2,7мОм(1479288)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
300Вт(1701911)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPB027N10N3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169043
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 120А; 300Вт; PG-TO263-7
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
336.95 грн
4+
327.39 грн
5+
314.64 грн
9+
309.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-7
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
120А
Опір в стані провідності
2,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
300Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g