0 0 0
  8. IPB029N06N3GATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPB029N06N3GATMA1

 
IPB029N06N3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076173
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
98.35 грн
5+
85.08 грн
17+
59.32 грн
47+
56.20 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
120А(1441550)
Опір в стані провідності
2,9мОм(1599143)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
188Вт(1740799)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPB029N06N3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076173
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
98.35 грн
5+
85.08 грн
17+
59.32 грн
47+
56.20 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
120А
Опір в стані провідності
2,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
188Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g