0 0 0
  8. IPB030N08N3GATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPB030N08N3GATMA1

 
IPB030N08N3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076174
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
199.43 грн
5+
171.62 грн
9+
119.97 грн
24+
112.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-7(1599141)
Напруга сток-джерело
80В(1441260)
Струм стока
160А(1479541)
Опір в стані провідності
3мОм(1479566)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
214Вт(1741760)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPB030N08N3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076174
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
199.43 грн
5+
171.62 грн
9+
119.97 грн
24+
112.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-7
Напруга сток-джерело
80В
Струм стока
160А
Опір в стані провідності
3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
214Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g