0 0 0
  8. IPB049NE7N3GATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPB049NE7N3GATMA1

 
IPB049NE7N3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076189
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
130.30 грн
5+
112.82 грн
13+
77.86 грн
35+
73.89 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напруга сток-джерело
75В(1441319)
Струм стока
80А(1479439)
Опір в стані провідності
4,9мОм(1479520)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
150Вт(1701910)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPB049NE7N3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076189
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
130.30 грн
5+
112.82 грн
13+
77.86 грн
35+
73.89 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напруга сток-джерело
75В
Струм стока
80А
Опір в стані провідності
4,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
150Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g