0 0 0
  8. IPB055N03LGATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPB055N03LGATMA1

 
IPB055N03LGATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169077
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
64.22 грн
3+
56.53 грн
10+
50.75 грн
21+
49.08 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
50А(1441504)
Опір в стані провідності
5,5мОм(1441296)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
68Вт(1708591)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,698 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPB055N03LGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169077
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
64.22 грн
3+
56.53 грн
10+
50.75 грн
21+
49.08 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
50А
Опір в стані провідності
5,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
68Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,698 g