0 0 0
  8. IPB072N15N3GATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPB072N15N3GATMA1

 
IPB072N15N3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076196
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
354.38 грн
5+
234.95 грн
12+
221.68 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напруга сток-джерело
150В(1441538)
Струм стока
100А(1479496)
Опір в стані провідності
7,2мОм(1479269)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
300Вт(1701911)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPB072N15N3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076196
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 100А; 300Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
354.38 грн
5+
234.95 грн
12+
221.68 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напруга сток-джерело
150В
Струм стока
100А
Опір в стані провідності
7,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
300Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g