0 0 0
  8. IPB073N15N5ATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPB073N15N5ATMA1

 
IPB073N15N5ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076197
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 81А; 214Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
414.74 грн
4+
318.60 грн
9+
301.13 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напруга сток-джерело
150В(1441538)
Струм стока
81А(1479447)
Опір в стані провідності
7,3мОм(1599981)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
214Вт(1741760)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
49нКл(1479032)
Технологія
OptiMOS™ 5(1599490)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,58 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPB073N15N5ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076197
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 81А; 214Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
414.74 грн
4+
318.60 грн
9+
301.13 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напруга сток-джерело
150В
Струм стока
81А
Опір в стані провідності
7,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
214Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
49нКл
Технологія
OptiMOS™ 5
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,58 g