0 0 0
  8. IPB081N06L3G

Транзистори з каналом N SMD IPB081N06L3G

 
IPB081N06L3G
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076199
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 79Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
79.45 грн
5+
69.92 грн
17+
61.18 грн
45+
58.00 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
50А(1441504)
Опір в стані провідності
8,1мОм(1596080)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
79Вт(1740747)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,561 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPB081N06L3G
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076199
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 79Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
79.45 грн
5+
69.92 грн
17+
61.18 грн
45+
58.00 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
50А
Опір в стані провідності
8,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
79Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,561 g