0 0 0
  8. IPB083N10N3GATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPB083N10N3GATMA1

 
IPB083N10N3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076200
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
112.15 грн
5+
99.51 грн
12+
86.08 грн
33+
81.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
80А(1479439)
Опір в стані провідності
8,3мОм(1599593)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,67 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPB083N10N3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076200
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
112.15 грн
5+
99.51 грн
12+
86.08 грн
33+
81.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
80А
Опір в стані провідності
8,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,67 g