Транзистори з каналом N SMD IPB090N06N3GATMA1

 
IPB090N06N3GATMA1
 
Артикул: 076202
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 71Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
80.40 грн
5+
66.35 грн
22+
46.83 грн
59+
43.71 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
50А(1441504)
Опір в стані провідності
9мОм(1479207)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
71Вт(1740779)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,721 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPB090N06N3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076202
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 71Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
80.40 грн
5+
66.35 грн
22+
46.83 грн
59+
43.71 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
50А
Опір в стані провідності
9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
71Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,721 g