0 0 0
  8. IPB107N20NAATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPB107N20NAATMA1

 
IPB107N20NAATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076207
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
761.95 грн
2+
526.77 грн
6+
498.17 грн
1000+
490.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 830 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
88А(1599601)
Опір в стані провідності
10,7мОм(1599736)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
300Вт(1701911)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,708 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPB107N20NAATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076207
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 88А; 300Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
761.95 грн
2+
526.77 грн
6+
498.17 грн
1000+
490.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 830 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
88А
Опір в стані провідності
10,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
300Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,708 g