0 0 0
  8. IPB530N15N3GATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPB530N15N3GATMA1

 
IPB530N15N3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076222
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 21А; 68Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
85.01 грн
3+
73.10 грн
10+
58.79 грн
20+
51.64 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напруга сток-джерело
150В(1441538)
Струм стока
21А(1441374)
Опір в стані провідності
53мОм(1599741)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
68Вт(1708591)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 3,06 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPB530N15N3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076222
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 21А; 68Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
85.01 грн
3+
73.10 грн
10+
58.79 грн
20+
51.64 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напруга сток-джерело
150В
Струм стока
21А
Опір в стані провідності
53мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
68Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 3,06 g