Транзисторы с каналом N SMD IPB600N25N3GATMA1

 
IPB600N25N3GATMA1
 
Артикул: 076223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
297.15 грн
5+
255.04 грн
6+
177.97 грн
16+
168.44 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напруга сток-джерело
250В(1441306)
Струм стока
25А(1441383)
Опір в стані провідності
60мОм(1441262)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
136Вт(1740748)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 3,06 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPB600N25N3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 25А; 136Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
297.15 грн
5+
255.04 грн
6+
177.97 грн
16+
168.44 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напруга сток-джерело
250В
Струм стока
25А
Опір в стані провідності
60мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
136Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 3,06 g