0 0 0
  8. IPB60R080P7ATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPB60R080P7ATMA1

 
IPB60R080P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076225
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 23А; 129Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
326.88 грн
5+
227.97 грн
12+
215.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
23А(1479277)
Опір в стані провідності
80мОм(1441523)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
129Вт(1740784)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Заряд затвора
51нКл(1610021)
Технологія
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPB60R080P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076225
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 23А; 129Вт; D2PAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
326.88 грн
5+
227.97 грн
12+
215.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
23А
Опір в стані провідності
80мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
129Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Заряд затвора
51нКл
Технологія
CoolMOS™ P7
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g