0 0 0
  8. IPB60R160C6ATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPB60R160C6ATMA1

 
IPB60R160C6ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076234
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 23,8А; 176Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
257.43 грн
3+
222.47 грн
7+
154.14 грн
18+
146.19 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
23,8А(1604769)
Опір в стані провідності
0,16Ом(1492490)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
176Вт(1740764)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
CoolMOS™ C6(1604765)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPB60R160C6ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076234
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 23,8А; 176Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
257.43 грн
3+
222.47 грн
7+
154.14 грн
18+
146.19 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
23,8А
Опір в стані провідності
0,16Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
176Вт
Поляризація
польовий
Технологія
CoolMOS™ C6
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g