0 0 0
  8. IPB80N04S2H4ATMA2

Транзистори з каналом N SMD IPB80N04S2H4ATMA2

 
IPB80N04S2H4ATMA2
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076266
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 80А; 300Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
273.10 грн
5+
209.35 грн
14+
198.33 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
80А(1479439)
Опір в стані провідності
3,7мОм(1479557)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
300Вт(1701911)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
103нКл(1512596)
Технологія
OptiMOS™(1596284)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,713 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPB80N04S2H4ATMA2
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076266
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 80А; 300Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
273.10 грн
5+
209.35 грн
14+
198.33 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
80А
Опір в стані провідності
3,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
300Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
103нКл
Технологія
OptiMOS™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,713 g