0 0 0
  8. IPB80N06S2L07ATMA3

Транзистори з каналом N SMD IPB80N06S2L07ATMA3

 
IPB80N06S2L07ATMA3
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169031
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 210Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
229.94 грн
5+
205.36 грн
6+
168.09 грн
17+
159.37 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напруга сток-джерело
55В(1441361)
Струм стока
80А(1479439)
Опір в стані провідності
6,7мОм(1599495)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
210Вт(1740833)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
95нКл(1609950)
Технологія
OptiMOS™(1596284)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,706 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPB80N06S2L07ATMA3
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169031
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 210Вт; PG-TO263-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
229.94 грн
5+
205.36 грн
6+
168.09 грн
17+
159.37 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напруга сток-джерело
55В
Струм стока
80А
Опір в стані провідності
6,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
210Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
95нКл
Технологія
OptiMOS™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,706 g