0 0 0
  8. IPD031N03LGATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPD031N03LGATMA1

 
IPD031N03LGATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076285
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 79А; 94Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
76.91 грн
5+
68.98 грн
19+
52.46 грн
52+
49.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2167 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
79А(1479436)
Опір в стані провідності
3,1мОм(1479542)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
94Вт(1740794)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,373 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPD031N03LGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076285
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 79А; 94Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
76.91 грн
5+
68.98 грн
19+
52.46 грн
52+
49.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2167 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
79А
Опір в стані провідності
3,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
94Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,373 g