0 0 0
  8. IPD031N06L3GATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPD031N06L3GATMA1

 
IPD031N06L3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076286
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
150.65 грн
5+
135.59 грн
9+
111.80 грн
25+
105.46 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1430 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
100А(1479496)
Опір в стані провідності
3,1мОм(1479542)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
167Вт(1740791)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,42 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPD031N06L3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076286
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
150.65 грн
5+
135.59 грн
9+
111.80 грн
25+
105.46 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1430 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
100А
Опір в стані провідності
3,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
167Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,42 g