Транзистори з каналом N SMD IPD050N03LGATMA1

 
IPD050N03LGATMA1
 
Артикул: 076292
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
64.22 грн
5+
48.37 грн
25+
42.66 грн
27+
37.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2352 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
50А(1441504)
Опір в стані провідності
5мОм(1479249)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
68Вт(1708591)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,4 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPD050N03LGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076292
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; 68Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
64.22 грн
5+
48.37 грн
25+
42.66 грн
27+
37.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2352 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
50А
Опір в стані провідності
5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
68Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,4 g