0 0 0
  8. IPD068P03L3GATMA1

Транзисторы с каналом P SMD IPD068P03L3GATMA1

 
IPD068P03L3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1170346
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -70А; 100Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
121.56 грн
5+
88.99 грн
15+
68.33 грн
40+
64.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-70А(1600728)
Опір в стані провідності
11мОм(1441289)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
100Вт(1701916)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ P3(1600690)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,369 g
 
Транзисторы с каналом P SMD IPD068P03L3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1170346
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -70А; 100Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
121.56 грн
5+
88.99 грн
15+
68.33 грн
40+
64.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-70А
Опір в стані провідності
11мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
100Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ P3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,369 g