0 0 0
  8. IPD082N10N3GATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPD082N10N3GATMA1

 
IPD082N10N3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169069
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
129.04 грн
5+
114.71 грн
10+
99.57 грн
28+
93.99 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
80А(1479439)
Опір в стані провідності
8,2мОм(1478995)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,366 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPD082N10N3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169069
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
129.04 грн
5+
114.71 грн
10+
99.57 грн
28+
93.99 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
80А
Опір в стані провідності
8,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,366 g