0 0 0
  8. IPD090N03LGATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPD090N03LGATMA1

 
IPD090N03LGATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076299
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 42Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
54.82 грн
34+
29.24 грн
93+
27.65 грн
250+
27.57 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2495 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
30А(1441514)
Опір в стані провідності
9мОм(1479207)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
42Вт(1607949)
Поляризація
польовий(1441242)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,362 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPD090N03LGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076299
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30А; 42Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
54.82 грн
34+
29.24 грн
93+
27.65 грн
250+
27.57 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2495 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
30А
Опір в стані провідності
9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
42Вт
Поляризація
польовий
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,362 g