0 0 0
  8. IPD30N08S222ATMA1

Транзистори з каналом N SMD IPD30N08S222ATMA1

 
IPD30N08S222ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1168993
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 30А; 136Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
66.60 грн
5+
59.63 грн
22+
45.59 грн
60+
43.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напруга сток-джерело
75В(1441319)
Струм стока
30А(1441514)
Опір в стані провідності
21,5мОм(1714109)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
136Вт(1740748)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
44нКл(1479001)
Технологія
OptiMOS™(1596284)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPD30N08S222ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1168993
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 30А; 136Вт; PG-TO252-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
66.60 грн
5+
59.63 грн
22+
45.59 грн
60+
43.06 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напруга сток-джерело
75В
Струм стока
30А
Опір в стані провідності
21,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
136Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
44нКл
Технологія
OptiMOS™
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g