0 0 0
  8. IPD350N06LGBTMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPD350N06LGBTMA1

 
IPD350N06LGBTMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 995280
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 20А; Idm: 116А; 68Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
61.39 грн
5+
38.56 грн
25+
34.00 грн
35+
29.12 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1945 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
20А(1441300)
Опір в стані провідності
35мОм(1441501)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
68Вт(1708591)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
13нКл(1479038)
Технологія
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
116А(1799528)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,402 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPD350N06LGBTMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 995280
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 20А; Idm: 116А; 68Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
61.39 грн
5+
38.56 грн
25+
34.00 грн
35+
29.12 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 1945 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
20А
Опір в стані провідності
35мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
68Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
13нКл
Технологія
OptiMOS™ 3
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
116А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,402 g