0 0 0
  8. IPD50N06S4L12ATMA2

Транзистори з каналом N SMD IPD50N06S4L12ATMA2

 
IPD50N06S4L12ATMA2
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076308
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; польовий; 60В; 36А; 50Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
91.98 грн
5+
62.00 грн
20+
49.64 грн
55+
46.94 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2179 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
36А(1479316)
Опір в стані провідності
12мОм(1441505)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
50Вт(1520816)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
30нКл(1479265)
Технологія
OptiMOS™ T2(1714105)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,448 g
 
Транзистори з каналом N SMD IPD50N06S4L12ATMA2
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076308
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; польовий; 60В; 36А; 50Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
91.98 грн
5+
62.00 грн
20+
49.64 грн
55+
46.94 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2179 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
36А
Опір в стані провідності
12мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
50Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
30нКл
Технологія
OptiMOS™ T2
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,448 g